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IXTH30N50L IXTQ30N50L
IXTT30N50L
50
Fig. 7. Input Admittance
30
Fig. 8. Transconductance
45
40
27
24
T J = - 40oC
35
30
25
20
15
10
5
0
T J = 125oC
25oC
- 40oC
21
18
15
12
9
6
3
0
25oC
125oC
3.5
4
4.5
5
5.5
6
6.5
7
7.5
8
8.5
9
9.5
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
90
V GS - Volts
Fig. 9. Forward Voltage Drop of
Intrinsic Diode
16
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
80
70
60
14
12
10
V DS = 250V
I D = 15A
I G = 10mA
50
8
40
30
20
10
0
T J = 125oC
T J = 25oC
6
4
2
0
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
0
50
100
150
200
250
300
350
100,000
10,000
f = 1 MHz
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
Ciss
1.00
Q G - NanoCoulombs
Fig. 12. Maximum Transient Thermal
Impedance
1,000
Coss
0.10
100
Crss
10
0.01
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
V DS - Volts
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
Pulse Width - Seconds
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